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半導體行業(yè)中,晶圓越來越向輕薄化和大尺寸方向發(fā)展,激光加工已替代傳統(tǒng)切割方式,利用超快紫外激光進行表面燒蝕切割,其激光聚焦光斑小、熱影響小、切割效率高,廣泛應用于硅基和化合物半導體晶圓的切割。
針對晶圓激光內(nèi)部改質(zhì)切割,定制波長光源可在不損傷表面的情況下,改質(zhì)切割8吋及以上高端、窄切割溝道硅基半導體晶圓芯片,如硅麥芯片、MEMS傳感器芯片、CMOS芯片等。
利用超短脈沖激光加工Low-K晶圓,能夠有效減小崩邊脫層和熱影響,提高開槽效率,適用范圍可拓展至背金硅晶圓、硅基氮化鎵晶圓、鉭酸鋰晶圓以及氮化鎵晶圓切割等。
借助激光非接觸式加工工藝,保證晶圓在不造成額外損壞的情況下,在晶圓上進行穩(wěn)定、清晰的標記,同時二維碼讀取識別率高,實現(xiàn)生產(chǎn)流程可追溯。
半導體產(chǎn)業(yè)鏈中眾多環(huán)節(jié)都需要檢測把關,從半導體原片、外延片的尺寸和平面度,到外觀宏觀缺陷,再到半導體有圖形晶圓、晶粒的微觀缺陷,都需要在生產(chǎn)過程和出廠時進行視覺檢測和質(zhì)量控制。